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基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法,属于微波电路技术领域。所述制作方法包括以下步骤:在半绝缘衬底上制得肖特基变容二极管,包括重掺杂N型层、N型层、下电极和上电极,N型层在重掺杂N型层上形成台面结构,重掺杂N型层在半绝缘衬底上形成台面结构;在半绝缘衬底上形成电容的下电极和电感的埋层引线;淀积形成介质层;通过刻蚀上电极、下电极、电容的下电极和电感的埋层引线处的介质层,形成窗口;形成电容的下电极、螺旋电感以及连接线。本发明基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器的制作方法,采用平面工艺,易于实施,操作简单;易于单片集成,且集成度高;电路稳定性好,可靠性高。

著录项

  • 公开/公告号CN102088003B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200910310975.3

  • 发明设计人 董军荣;杨浩;黄杰;田超;张海英;

    申请日2009-12-07

  • 分类号

  • 代理机构北京市德权律师事务所;

  • 代理人王建国

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-06

    授权

    授权

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20091207

    实质审查的生效

  • 2011-06-08

    公开

    公开

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