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一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括基盘,叠设于基盘上的填充料和嵌设于填充料中且与填充料表面齐平的若干个磨料块;所述填充料上设有贯穿填充料的气孔;所述填充料由催化剂和助研剂组成;所述磨料块由磨料、催化剂和粘接剂混合组成;所述催化剂为含铁粒子。本发明提供的固相反应研磨盘适用于SiC晶片研磨,不仅可以获得较高的材料去除率和较好的表面质量,还能够获得低损伤的SiC晶片表面,可用于表面要求较高的SiC晶片的精密研磨加工。

著录项

  • 公开/公告号CN113601390A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东纳诺格莱科技有限公司;

    申请/专利号CN202110876310.X

  • 申请日2021-07-31

  • 分类号B24B37/11(20120101);B24B57/02(20060101);B24D3/28(20060101);B24D7/06(20060101);B24D18/00(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈娟

  • 地址 528225 广东省佛山市南海区狮山镇软件园桃园路南海产业智库城一期A座A214-2室

  • 入库时间 2023-06-19 13:10:40

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