一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用

摘要

本发明公开了一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用，本发明在生长Poly‑Si过程中，通入BCl3实现原位掺杂，然后退火晶化，掺杂的P poly‑Si增加空穴的迁移速率同时抑制电子的迁移速率。同时与SiO2结合，SiO2/P‑poly‑Si引入具有电子和空穴不对称隧穿概率的隧道势垒，显著降低光伏电池界面复合，将电流密度J0降低至15fA/cm2，大幅提高太阳电池发电效率。本发明采用BCl3气态源，BCl3分子极易分解并快速进行硼非晶硅晶体的形成，所以BCl3的利用率非常高，利用本发明的方法可以疏散BCl3气体在炉管内的分布，使得炉管内BCl3分布均匀，并能够与SiH4充分混合参与反应。