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氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法

摘要

本发明属于碳纳米管生长领域,涉及一种氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法,包括:以含钌元素的盐和氧化镁为原料采用浸渍法制备了Ru/MgO催化剂;以所述Ru/MgO催化剂为催化剂,采用CVD法合成SWNTs。本发明通过浸渍法以氧化镁(MgO)为载体负载贵金属钌制备了Ru/MgO催化剂,并以一氧化碳(CO)及甲烷(CH4)为碳源,氩气(Ar)作为保护气体,在800℃常压条件下通过化学气相沉积(CVD)法催化裂解碳源气体制备SWNTs,实现了在窄直径分布、窄手性分布的小直径SWNTs的合成。

著录项

  • 公开/公告号CN113578315A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 青岛科技大学;

    申请/专利号CN202110890940.2

  • 申请日2021-08-04

  • 分类号B01J23/46(20060101);B01J21/10(20060101);B01J32/00(20060101);B01J35/10(20060101);B01J37/02(20060101);C01B32/162(20170101);C01B32/159(20170101);H01L51/00(20060101);

  • 代理机构37221 济南圣达知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑平

  • 地址 266042 山东省青岛市市北区郑州路53号

  • 入库时间 2023-06-19 13:07:23

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