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具有应力缓冲作用的微凸点芯片封装结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有应力缓冲作用的微凸点芯片封装结构及其制备方法,该结构包括:半导体基底;焊盘,位于半导体基底上;钝化层,位于半导体基底和焊盘表面,其上设有窗口,窗口与焊盘对应,且小于焊盘的尺寸;种子层,位于焊盘上并向四周延伸至钝化层部分表面;微凸点结构,位于种子层上,其包括金属柱以及位于金属柱顶部的微凸点;其中,微凸点结构周围的钝化层上设有一缓冲介质层,缓冲介质层与微凸点结构紧密相接。本发明通过在微凸点周围形成缓冲介质层,阻止了微凸点结构由于局部热应力问题在工作时产生裂纹并向四周的延伸,且微凸点侧壁表面的介质层结构对金属柱具有保护作用,使得封装结构更加稳定的同时,提高了微凸点的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN113594047A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202110673303.X

  • 申请日2021-06-17

  • 分类号H01L21/48(20060101);H01L23/498(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 13:05:40

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