铁电氧化物与MAxFA1-xPbI30-3复合的薄膜材料

摘要

本发明提供了一种铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI3 0‑3复合的薄膜材料，以平均粒径12~18 nm的0维铁电材料，将该0维铁电材料均匀分布于MAxFA1‑xPbI3形成的3维连通的骨架之中，得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比，铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI30‑3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴，能有效降低光生电子‑空穴对的复合，提高材料的光伏性能，形成了一类全新的MAxFA1‑xPbI3铁电半导体材料。