一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层和第二空穴注入层分别为NiO层和PEDOT:PSS层。本发明提供的正型QLED器件采用NiO/PEDOT:PSS双层空穴注入层，不仅能够解决对ITO电极的腐蚀问题，还能够有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，平衡载流子，进而提高正型QLED器件的效率和使用寿命。