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公开/公告号CN113571509A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN202110441277.8
发明设计人 金珍泰;李在夏;许东渊;
申请日2021-04-23
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人赵南;张帆
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 13:02:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 专利申请号:2021104412778 申请日:20210423
实质审查的生效
机译: 具有高集成度和改进的可靠性的低冗余电路以及具有该电路的半导体存储器件
机译: 半导体装置及其制造方法,其具有提高集成度和可靠性的能力
机译: 用于具有改进的集成度的存储器模块的半导体模块和包括该模块的半导体装置
机译:控制具有改进的栅极介电可靠性的高质量GaN基金属氧化物半导体器件的SiO_2 / GaN堆栈中的Ga氧化物层间生长和Ga扩散
机译:具有氟化硅酸盐玻璃钝化层的金属氧化物半导体场效应晶体管的改进性能和可靠性
机译:使用功率半导体组件具有不同集成度的驱动系统电源部分的比较
机译:具有通过半导体能带工程控制的性能的改进的催化剂。
机译:CO2激光制备具有改进的进角的PMMA微流控双T型结装置可用于具有成本效益的PCR应用
机译:具有通用门的可靠性图的改进,以分析具有多种操作模式的动态系统的可靠性
机译:具有台面二极管的电子束半导体器件,可靠性和失效确定。