公开/公告号CN113555430A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110769588.7
申请日2021-07-07
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 13:00:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-24
授权
发明专利权授予
机译: MIS栅结构型HEMT器件的制造方法和MIS栅结构型HEMT器件
机译: 利用多阈值技术的快速绝缘栅场效应晶体管电路
机译: 利用多阈值技术的快速绝缘栅场效应晶体管电路