一种提升N型硅片硼扩散方阻均匀性的工艺

摘要

本发明提供了一种提升N型硅片硼扩散方阻均匀性的工艺，采用台阶状分段升温进行两次扩散，再进行高温推进的方法，先在较低温度进行第一次扩散，使硅片表面形成富硼层，再在较高温度降低硼源流量扩大氧气流量进行第二次扩散，使硅片表面形成更加均匀的富硼层，最后高温推进一段时间形成最终PN结，降低硼源耗量、提升扩散方阻均匀性的同时不会产生过厚的BSG层，有利于电性的收集。