半导体制造工艺中的蚀刻图案新型形成方法

摘要

本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法，其在蚀刻工艺前，将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法，改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法，与以往的方法相比，绝对简化工艺，巨大地改善生产时间和费用，不再需要现有方法中使用的昂贵的涂覆及沉积装备，因而表现出能够减小SiON沉积时所需的昂贵前体或对于有机硬掩膜的费用及沉积时所需相关装备的投资或维护费用的卓越效果。