包括垂直沟道结构的集成电路和该集成电路的布局方法

摘要

提供了一种由一个或更多个半导体单元中的多个垂直场效应晶体管(VFET)实现的集成电路以及集成电路的布局方法，其中第一单元的一对第二垂直沟道结构和第二单元中的相邻的一对第一垂直沟道结构之间的距离与第一单元中的所述一对第一垂直沟道结构和邻近所述一对第一垂直沟道结构布置的一对第二垂直沟道结构之间的距离相同，第一单元的所述一对第二垂直沟道结构和第二单元中的所述相邻的一对第一垂直沟道结构均面对第一单元和第二单元之间的单元边界。