可编程的多量子态存储器及制备方法

摘要

本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。