一种新的超级结器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新的超级结器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底；N‑漂移区，设置于N+衬底上表面；至少两个P型柱区，间隔设置于N‑漂移区内；若干P+体区，分别设置于P型柱区中最顶端的P型柱子区；若干N+源区，分别设置于P+体区内，且每个P+体区内设置有两个N+源区；若干栅绝缘层，分别设置于N型柱区中最顶端的N型柱子区、P+体区、N+源区上；若干栅极，分别设置于P+体区上方的栅绝缘层内；源极，设置于若干栅绝缘层、N+源区、P+体区上；漏极，设置于N+衬底下表面。本发明在P型柱区和N型柱区的底端进行N离子掺杂，使得水平方向的耗尽区很少扩散到N型柱区，通过减少耗尽层来拓宽电流流动的路径，从而减小源漏电阻，获得更高的电流密度。