公开/公告号CN113540363A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利号CN202110754198.2
申请日2021-07-02
分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101);
代理机构
代理人
地址 102206 北京市昌平区北农路2号
入库时间 2023-06-19 12:56:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/48 专利申请号:2021107541982 申请日:20210702
实质审查的生效
机译: 钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜形成的源解,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的形成方法,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的成膜方法
机译: 钙钛矿模或Bi分层钙钛矿模氧化物薄膜形成的原料溶液,钙钛矿模或钙钛矿模或Bi复层钙钛矿模氧化物薄膜的形成方法,Bi分层钙钛矿模氧化物不存在
机译: 钙钛矿型氧化物薄膜的原料制备方法,钙钛矿型氧化物薄膜和钙钛矿型氧化物薄膜的制备方法