通过脉冲式RF等离子体的膜形成

摘要

本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。