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公开/公告号CN113544498A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 VG系统有限公司;FEI公司;
申请/专利号CN202080017649.8
发明设计人 A·P·戴伊;C·J·斯蒂芬斯;P·斯特吉斯卡尔;M·培翠克;
申请日2020-03-03
分类号G01N23/20058(20060101);G01N23/203(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人周全
地址 英国柴郡
入库时间 2023-06-19 12:56:12
机译: 电子显微镜,特别是用于电子背散射衍射过程的扫描电子显微镜,包括用于对样品的晶体结构进行非破坏性确定的非破坏性确定单元。
机译: 电子背散射衍射样品表征的方法和装置
机译:背散射电子菊池衍射的样品制备(电子背散射衍射,EBSD)-第二部分:陶瓷
机译:背散射电子菊池衍射的样品制备(电子背散射衍射,EBSD)
机译:电抛光在增强金属样品制备中的应用,用于电子背散射衍射分析
机译:在粉笔河实验室利用电子背散射衍射进行材料表征
机译:使用飞行时间中子衍射和电子背散射衍射进行定量纹理分析。
机译:借助电子背散射衍射表征验证三维衍射对比层析成像的有效性
机译:电子背散射衍射作为通过电子显微镜对古代材料的微观结构表征的补充分析方法
机译:用于电子背散射衍射的场发射枪扫描电子显微镜用于先进材料的织构,成形性和疲劳研究;最终的评论。 2005年5月1日至2007年2月28日