在3D NAND存储器设备中通过阵列源极耦合减少编程干扰的方法

摘要

本公开提供了一种三维NAND存储器设备，包括：第一NAND串，其包括对应于将被禁止编程的第一单元的第一沟道；以及被配置为控制字线驱动器和位线驱动器进行以下操作的控制器：在向选定字线施加编程电压之前，将与所述第一沟道电耦合的第一位线充电至第一电压电平，以用于将所述第一沟道充电至所述第一电压电平，对与所述第一位线电耦合的阵列公共源极充电，以进一步将所述第一沟道充电至高于所述第一电压电平的第二电压电平；以及切断所述第一位线与所述第一沟道之间的电耦合，以准备向所述选定字线施加所述编程电压。