公开/公告号CN113512308A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利号CN202010276356.3
申请日2020-04-09
分类号C09C1/42(20060101);C09C3/06(20060101);C09C3/08(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C09K8/03(20060101);C09K8/14(20060101);C09K8/42(20060101);C09K8/504(20060101);
代理机构37107 东营双桥专利代理有限责任公司;
代理人侯华颂
地址 100101 北京市朝阳区北辰西路8号北辰世界中心A座703
入库时间 2023-06-19 12:54:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-05
授权
发明专利权授予
机译: 钌配合物插层的N掺杂或N,S掺杂的二氧化钛柱状蒙脱土及其制备方法
机译: 钌配合物插层的N掺杂或N,S掺杂的二氧化钛柱状蒙脱土及其制备方法
机译: 钌配合物插层的N掺杂或N,S掺杂的二氧化钛柱状蒙脱土及其制备方法