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一种获得难熔金属的带状束金属离子的装置

摘要

本发明公开了一种获得难熔金属的带状束金属离子的装置。本发明的目的是获得具有工作物质利用率高,离子束中金属离子的含量高与使用寿命长等特点的难熔金属离子的带状束,从而达到高效率高质量生长难熔金属薄膜的目的。采用本发明提供的方案可以实现具有典型的磁控溅射系统及具有交叉电场和磁场的阴极区域的放电,由于集中在一个区域内,通过强阴极溅射获得气态工作物质,有效地离子化了溅射的原子,并选择了生成的离子进入电子束,从而提供了积极的效果。当产生金属离子的带状束时,本发明的优点可以充分地体现出来。

著录项

  • 公开/公告号CN113512709A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弘大芯源(深圳)半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110763147.6

  • 发明设计人 洪学天;林和;牛崇实;黄宏嘉;

    申请日2021-07-06

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/48(20060101);

  • 代理机构11399 北京冠和权律师事务所;

  • 代理人赵银萍

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210

  • 入库时间 2023-06-19 12:54:37

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