公开/公告号CN113512709A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 弘大芯源(深圳)半导体有限公司;
申请/专利号CN202110763147.6
申请日2021-07-06
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/48(20060101);
代理机构11399 北京冠和权律师事务所;
代理人赵银萍
地址 518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210
入库时间 2023-06-19 12:54:37
机译: 通过电子束轰击,将一块铜与工件制成一种难熔金属的连接
机译: 获得难熔金属的方法和装置为φ。到。周期性系统的组,例如锆,钽,铀,or和铍及其合金
机译: 从重离子回旋加速器源获得金属离子束的装置