吡啶并三氮唑类新型受体及其发光聚合物的合成与应用

摘要

本发明涉及一种吡啶并三氮唑类新型受体及其发光聚合物的合成与应用。所述发光聚合物其结构式如式I所示。以本发明吡啶并三氮唑类发光聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管有较高的空穴迁移率(最高为0.28cm2V‑1s‑1)和固态发光量子产率(最高为10％)，在有机场效应晶体管及发光晶体管中均具有良好的应用前景。本发明合成了一种吡啶并三氮唑(简称PT)类新型受体及其发光聚合物，并研究了其发光特性及在OFETs中的应用。本发明的吡啶并三氮唑类聚合物进一步扩展了发光聚合物材料的种类，在有机光电子器件中具有良好的应用前景。