一种改善金属功函数边界效应的方法

摘要

本发明提供一种改善金属功函数边界效应的方法，在第一至第四Fin结构上沉积第一TiN层；第二、第三Fin结构上的第一TiN层连续分布；去除第三Fin结构上的第一TiN层；被去除的第一TiN层的边缘位于第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第一距离处；沉积第二TiN层，第二、第三Fin结构上的第二TiN层连续分布；去除第二Fin结构及其上的第二、第一TiN层；第二、第三Fin结构间靠近第二Fin结构的部分第二TiN层被去除，被去除的第二TiN层的边缘从第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第二距离。采用本发明的方法可以使得超低阈值电压P型管的Fin结构底部边缘的TiN层厚度更薄；在刻蚀时使得TiN层不易出现底部切断现象，从而减小金属边界效应，有利于增大器件的阈值电压。