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公开/公告号CN113508367A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202080017587.0
发明设计人 F·F·罗斯;M·A·布莱瑟;
申请日2020-02-04
分类号G06F12/06(20060101);G06F13/16(20060101);G06F3/06(20060101);G11C5/04(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 12:53:05
机译: 用于固态存储器模块结构的控制存储器模块,具有非易失性存储器,控制单元和控制存储器模块连接器,其中非易失性存储器具有存储器芯片
机译: 包括非易失性存储器模块的非易失性存储器模块存储器系统和非易失性存储器模块的控制方法
机译: 非易失性存储器模块,包括非易失性存储器模块的存储器系统以及非易失性存储器模块的控制方法
机译:成功的低功耗非易失性存储器实现成功的低功耗非易失性存储器
机译:离散存储非易失性存储器的比较:混合法制造金纳米晶非易失性存储器的优势
机译:MonoS非易失性存储器的阈值电压控制,具有高k HFN / HFO_2堆叠层,用于模拟存储器应用
机译:基于非易失性存储器的系统中存储器映射数据的故障原子同步
机译:非易失性存储器与易失性存储器的集成,用于嵌入式存储器体系结构和信号处理应用
机译:用于非易失性存储器应用的供体接受器型Ambipolar半导体的滞后行为
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)
机译:在NUma(非统一存储器访问)多处理器上实现相干存储器抽象:使用pLaTINUm(用于调查非均匀存储器的平台)的经验。修订。