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腔室分离型外膜生长装置

摘要

本发明主要提供一种腔室分离型外膜生长装置,其包括:反应腔室,具备生长空间;基板安装单元,配置于所述生长空间,用于安装基板;金属氧化物处理单元,在独立于所述生长空间处理金属氧化物,使所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板;砷供应单元,与所述基板相对配置,向所述基板供应砷离子;氧自由基供应单元,与所述基板相对配置,向所述基板额外提供氧自由基;真空调节单元,能独立地对所述反应腔室和所述金属氧化物处理单元的真空状态进行调节。

著录项

  • 公开/公告号CN113493899A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOS株式会社;

    申请/专利号CN202011394094.7

  • 发明设计人 崔范浩;李承洙;曹永根;金龙植;

    申请日2020-12-02

  • 分类号C23C14/08(20060101);C23C14/30(20060101);C23C14/52(20060101);C23C14/54(20060101);

  • 代理机构11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人郑青松

  • 地址 韩国京畿道乌山市京畿大路632番路129-20

  • 入库时间 2023-06-19 12:51:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/08 专利申请号:2020113940947 申请公布日:20211012

    发明专利申请公布后的视为撤回

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