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一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明提供了一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极型晶体管,包括:具有第一导电类型的衬底;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的缓冲层;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移层,外延于该衬底上;具有第一导电类型的第一阱区设置于该漂移层上;多个沟槽形成于该第一阱区并垂直延伸至该漂移层中;屏蔽电极形成于每一个沟槽下半部,该屏蔽电极与该第一阱区以及该漂移层由屏蔽介电层作电气隔离;跨电极介电层形成于该屏蔽电极上;栅极设置于该衬底上方相应的每一个该沟槽的上半部内,该栅极与相应该沟槽的侧壁形成一栅极绝缘层。

著录项

  • 公开/公告号CN113497123A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都蓉矽半导体有限公司;

    申请/专利号CN202010251270.5

  • 发明设计人 戴茂州;高巍;廖运健;

    申请日2020-04-01

  • 分类号H01L29/423(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/331(20060101);

  • 代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人韩登营

  • 地址 610000 四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号

  • 入库时间 2023-06-19 12:51:29

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