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超宽稳定温区的高温高介电电容材料及其制备方法

摘要

本发明公开了超宽稳定温区的高温高介电电容材料及其制备方法,电容材料的化学组成为0.99[(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xNaNbO3]‑0.01Sr0.8Na0.4Nb2O6,其中x=0.25电容材料的制备过程为先对原始粉料进行烘干处理,接着称取原始粉料;然后对原始材料进行一次球磨后进行预烧,接着二次球磨后等静压成型,最后在高温炉空气气氛中烧结。电容材料在室温下的介电常数ε′为1250,且以室温下的介电常数为基准,介电常数在此基准上下波动15%对应的温区为‑90℃~383℃,介电损耗小于0.02对应的温区为‑63℃~>357℃。同时满足介电常数和损耗的稳定温区为‑63℃~>357℃。该种电容材料制备原料来源广泛,制备所得陶瓷介电性能优异,制备工艺简单,成本低且重复性好。

著录项

  • 公开/公告号CN113488336A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN202110640228.7

  • 申请日2021-06-08

  • 分类号H01G4/12(20060101);

  • 代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨洲

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 4/12 专利申请号:2021106402287 申请公布日:20211008

    发明专利申请公布后的驳回

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