法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 4/12 专利申请号:2021106402287 申请公布日:20211008
发明专利申请公布后的驳回
机译: MIM电容器与在高K介电材料的掺杂阱中或表面上形成的STI区或硅化物区中形成的金属栅材料下板的集成方法
机译: 形成具有高K含氧电容器介电层的电容器的方法,处理高K含氧介电层的方法,形成具有具有高K含氧电容器介电层的DRAM单元的方法
机译: 功率半导体组件,例如功率金属氧化物半导体场效应晶体管,具有补偿区,该补偿区包括高介电材料,其介电常数随温度而变