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具有连接至串选择线的选择线钉柱的半导体装置

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摘要

一种半导体装置包括：存储器堆叠件，其设置在衬底上，并且包括下栅电极；上栅极堆叠件，其包括串选择线；竖直地延伸的存储器栅极接触件，其设置在下栅电极上；以及竖直地延伸的选择线钉柱，其设置在串选择线上。串选择线包括与下栅电极的材料不同的材料，并且选择线钉柱包括与存储器栅极接触件的材料不同的材料。

公开/公告号CN113488480A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN202011478012.7
发明设计人柳孝俊;金宽容;姜书求;沈善一;赵源锡;韩智勋;
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申请日2020-12-15
分类号H01L27/11563(20170101);H01L27/11578(20170101);H01L27/11568(20170101);H01L27/11573(20170101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人赵南;张帆
地址韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11563 专利申请号:2020114780127 申请日:20201215

实质审查的生效

1. 具有连接至串选择线的选择线钉柱的半导体装置 [P] . 中国专利： CN113488480A . 2021-10-08
2. 包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件 [P] . 中国专利： CN112635483A . 2021-04-09
3. SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELECTION LINE STUD CONNECTED TO STRING SELECTION LINE [P] . US2021288054A1 . 2021-09-16

机译：具有选择线螺柱的半导体器件连接到串选择线
4. Semiconductor memory integrated circuit (IC) has selecting circuit to selectively connect bit lines to first output bit line and source lines to source voltage, and sense amplifier to sense data based on voltage on first output bit line [P] . 德国专利： DE102007057097A1 . 2008-06-12

机译：半导体存储器集成电路（IC）具有选择电路，以选择性地将位线连接到第一输出位线，并将源线选择性地连接到源电压，并且具有读出放大器以基于第一输出位线上的电压来读出数据
5. SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING A STUD CONNECTED TO STRING SELECTION LINE [P] . KR20210115716A . 2021-09-27

机译：具有连接到串选择线的螺柱的半导体器件