公开/公告号CN113463180A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西欣宇材料科技有限公司;
申请/专利号CN202110809695.8
申请日2021-07-17
分类号C30B15/00(20060101);C30B13/00(20060101);C30B29/08(20060101);
代理机构
代理人
地址 710000 陕西省西安市蓝田县华胥镇西北家具工业园新港三路付9号
入库时间 2023-06-19 12:48:23
机译: 微坑密度(MPD)如何制造低锗锭以及用于生长锗晶体的设备
机译: 用于控制硅和锗晶体带生长的设备
机译: 防辐射膜,反应器,燃料电池设备,电子设备,热反射膜和隔热容器