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横电磁波室

摘要

本发明公开了一种横电磁波室,包括外导体,外导体围设形成一小室,在小室内沿一轴向设有内导体,所述内导体两端分别连接有一同轴连接头;内导体具有一主体段、由主体段沿其纵长方向延伸形成的两渐变段,以及轴接于渐变段且位于端部的两匹配段;渐变段的外周表面在轴向上的纵截面与轴向自内向外延伸形成一第一斜切角和一第二斜切角,第二斜切角大于第一斜切角,且渐变段的纵截面积自内向外逐渐减小;在小室侧壁上沿轴向设有过孔,同轴连接头从小室外穿过过孔并延伸至小室内以连接于匹配段,小室用以在0至5GHz频率范围下对集成电路芯片进行测试。该横电磁波室能实现对阻抗的匹配优化实现所述小室具有更好的回波损耗以及更低的插入损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN113466588A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京信息工程大学;

    申请/专利号CN202110738352.7

  • 发明设计人 万发雨;袁钟柱;

    申请日2021-06-30

  • 分类号G01R31/00(20060101);G01R1/02(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人张弛

  • 地址 210000 江苏省南京市宁六路219号

  • 入库时间 2023-06-19 12:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-21

    授权

    发明专利权授予

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