一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法

摘要

本发明公开了一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法，利用GaN功率器件单粒子效应的单、双光子吸收机制脉冲激光等效重离子评价技术，创新采用理论与试验相结合的技术方法；以GaN功率器件为典型应用示范，针对宽禁带器件单粒子效应的试验要求，形成脉冲激光正面、背部辐射GaN样品沉积有效能量和等效LET值的理论模型，明确激光定量评估试验的表征方法和依据；进行单粒子效应敏感度的激光和重离子比对试验，确定器件的激光有效能量与重离子LET值的对应关系。本发明方法能够作为重离子实验的重要补充，降低实验成本，提高实验效率及准确性，为实际应用中抗辐射器件的选用及抗辐射加固设计提供测试参考。