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工业级ARM芯片的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备

摘要

本发明实施例提供一种工业级ARM芯片的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质和电子设备。该工业级ARM芯片的控制方法包括:在开机阶段,向ARM芯片输出低电平的复位信号PRST_N,使得ARM芯片进入全局复位状态;向ARM芯片持续输出与ARM芯片的32K时钟匹配的时钟信号;自输出时钟信号起预定时长后,向ARM芯片输出高电平的复位信号PRST_N,使得ARM芯片退出全局复位状态。对于不需要实时时钟的嵌入式设备,不仅通过外部设备为ARM芯片提供时钟信号,简化了ARM芯片的结构并降低成本,而且在ARM芯片的启动过程中,能够将上电后32K时钟的起振时长(PRST_N为低的时长)控制在瞬间完成,整个开机阶段持续的时长可在10ms内完成,由此大大地缩短了工业级ARM芯片开机启动过程的时间长度。

著录项

  • 公开/公告号CN113467837A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门码灵半导体技术有限公司;

    申请/专利号CN202110713706.2

  • 申请日2021-06-25

  • 分类号G06F9/38(20060101);G06F1/06(20060101);

  • 代理机构11461 北京康达联禾知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人罗延红

  • 地址 361026 福建省厦门市海沧区中国(福建)自由贸易试验区厦门片区(保税港区)海景南二路45号4楼03单元F0102

  • 入库时间 2023-06-19 12:46:51

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