III族氧化物薄膜制备方法及其外延片

摘要

本公开提供一种III族氧化物薄膜制备方法及其外延片，方法包括：制备缓冲层(2)；在缓冲层(2)上外延III族氧化物薄膜(3)；其中，缓冲层(2)和III族氧化物薄膜(3)的晶格失配度小于10％，缓冲层(2)与III族氧化物薄膜(3)异质。通过在晶格互相匹配的缓冲层上外延III族氧化物薄膜，可以大大降低制备出的III族氧化物薄膜中的缺陷，获得质量优异的III族氧化物薄膜及器件。本公开的III族氧化物薄膜制备方法工艺兼容性强，原料成本低，适合对III族氧化物薄膜材料及器件的制备及推广应用。