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公开/公告号CN113451499A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN202110754652.4
发明设计人 孙清超;袁志伟;王瑞强;姜海涛;付雨露;
申请日2021-07-05
分类号H01L41/053(20060101);H01L41/23(20130101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人温福雪
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-06-19 12:43:46
机译: 使用压电晶片主动传感器(PWAS)技术进行复合零件质量控制的过程中监控
机译: 压电传感器,一种制造压电传感器的方法和一种包括这种压电传感器的医学植入式铅
机译: 压力表通过宏观加载压电皮肤传感器实现动脉血流动力学。一种用于检测系统血压的高精度值以及心功能和主动脉参数的创新技术
机译:压电晶片主动传感器(PWA)的物理基损伤检测的机电阻抗(EMI)签名的时频分析
机译:暴露于辐射效应的压电晶片主动传感器进行结构健康监测
机译:书评:采用压电晶片主动传感器进行结构健康监测,作者:VICTOR GIURGIUTIU-南卡罗来纳大学? ELSEVIER-学术出版社,2008年,第747页
机译:压电晶片活性传感器用于耦合耦合元件的压电晶片活性传感器的有限元模拟
机译:具有压电晶片主动传感器的复合结构健康监测
机译:压电双压电晶片和石英晶体双音叉谐振器组成的差分谐振电压传感器
机译:压电晶片主动传感器阻抗分析在结构健康监测中的应用
机译:利用压电晶片主动传感器检测空间低温复合材料的损伤