法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01B12/04 专利申请号:2021107530884 申请日:20210702
实质审查的生效
机译: 一种在真空中产生金属,合金,准金属和连接沉淀的方法
机译: 为了在压力下通过电导体插入,本发明是将电连接件捆绑在一起,一种用于将连接部件与电导体连接的方法,以及具有多个电连接部件的连接器。
机译: 用于制造半导体本体的准衬底晶片的制造方法包括将外延生长衬底晶片与辅助支撑晶片连接。