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用于对存储器装置进行编程的改进的验证方案

摘要

本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括耦接到控制电路的存储器单元。该控制电路被配置为执行第一编程阶段,该第一编程阶段包括将存储器单元中的每个存储器单元迭代地编程为第一程序状态,并且验证存储器单元具有高于与第一程序状态相对应的多个第一验证电压中的一个第一验证电压的阈值电压。该第一编程阶段在存储器单元全部被验证之前结束,从而使存储器单元的一部分低于多个第一验证电压中的一个第一验证电压。该控制电路还执行第二编程阶段,该第二编程阶段包括将存储器单元中的每个存储器单元迭代地编程为第二程序状态,并且验证存储器单元中的至少预定数量的存储器单元具有高于与第二程序状态相对应的多个第二验证电压中的一个第二验证电压的阈值电压。

著录项

  • 公开/公告号CN113424258A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202080007121.2

  • 发明设计人 H·钦;A·巴拉斯卡尔;卢庆煌;

    申请日2020-03-26

  • 分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C8/08(20060101);G11C29/42(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邱军

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2023-06-19 12:38:50

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