制备(I-III-VI族)AgInS2量子点的方法

摘要

本发明公开了制备(I‑III‑VI族)AgInS2量子点的方法。该方法包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS2量子点原液；对所述AgInS2量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS2量子点。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS2量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。