公开/公告号CN113403606A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN202110532791.2
发明设计人 查天庸;
申请日2021-05-17
分类号C23C16/44(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/505(20060101);
代理机构31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙佳胤;陈丽丽
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
入库时间 2023-06-19 12:37:08
机译: 借助电泳工艺,将具有金属Co的氧化石墨烯片沉积在半导体基板上,或者通过酸性介质中的水溶液进行惰性沉积
机译: 磁性透镜可改善物理气相沉积(PVD)工艺中的沉积均匀性
机译: 纳米薄膜转移片,纳米薄膜转移片的制造方法以及将纳米薄膜层转移到被粘物中的方法