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公开/公告号CN113406730A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南大学;
申请/专利号CN202110830838.3
发明设计人 刘建军;彭宇宸;颜贝;谢建斓;史奥芊;高峰;彭鹏;蒋家培;
申请日2021-07-22
分类号G02B1/00(20060101);G02B6/122(20060101);
代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;
代理人李智慧
地址 410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 利用光子晶体结构和光子晶体放大磁光克尔效应的方法及制造光子晶体的放大磁光克尔效应的方法
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译: 利用光子晶体结构增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,制造光子晶体的方法
机译:使用2D光子基晶体六角空腔优化和实现全光学紧凑的五通道多路分解器
机译:利用2D金属介电光子晶体实现理想的选择性太阳吸收
机译:利用介电材料实现拓扑光子晶体的方案
机译:通过拓扑角态实现光子晶体纳米腔
机译:集成光子学中高效光控制平台的实现:InP光子学晶体阵列,调制器和光栅耦合器
机译:具有环简并性的二维光子晶体及其拓扑受保护边缘态
机译:利用拓扑优化增强光子晶体波导中慢光态的耦合
机译:2D棒空中方形 - 晶格光子晶体光开关