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利用2D S-T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法

摘要

本发明公开了一种利用2DS‑T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、基于2DS‑T光子晶体,改变其散射子直径大小,产生里大外小型TypeI、里外一致型TypeII、里小外大型TypeIII三种不同类型的基本结构单元;步骤二、将TypeI光子晶体与TypeIII光子晶体以晶格常数为间距左右阵列组合,或者两种TypeI光子晶体或两种TypeIII光子晶体满足错位的带隙下最近邻的能带是Nontrivial与Trivial的组合情形,在投影能带中产生拓扑边界态。该方法不仅丰富了高阶拓扑态的研究,也为实现拓扑角态提供了更简易的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN113406730A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南大学;

    申请/专利号CN202110830838.3

  • 申请日2021-07-22

  • 分类号G02B1/00(20060101);G02B6/122(20060101);

  • 代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人李智慧

  • 地址 410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

  • 入库时间 2023-06-19 12:37:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-15

    授权

    发明专利权授予

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