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公开/公告号CN113410379A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202110625863.8
发明设计人 聂天晓;方蟾;
申请日2021-06-04
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/06(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人盛明星
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L43/08 专利申请号:2021106258638 申请公布日:20210917
发明专利申请公布后的驳回
机译: 利用自旋轨道效应的基于垂直磁各向异性的自旋霍尔记忆
机译: 在磁性纳米结构装置,方法和应用中基于自旋霍尔效应的电控三端电路和装置
机译:单个拓扑半金属纳米线中费米弧自旋输运的电控制
机译:夹在铁磁电极之间的拓扑绝缘体中的电控自旋极化和选择
机译:电控制抽运拓扑绝缘子中的自旋电流
机译:具有垂直磁各向异性的室温高效拓扑绝缘子/ Mo / CoFeB自旋轨道转矩记忆
机译:基于拓扑绝缘子的磁性结构中的自旋轨道扭矩。
机译:在具有垂直磁各向异性和Dzyaloshinskii–Moriya相互作用的材料中由自旋转移力矩驱动的拓扑非拓扑和瞬时液滴
机译:由拓扑驱动的拓扑,非拓扑和瞬时液滴 具有垂直磁各向异性的材料中的自旋转移力矩 Dzyaloshinskii-moriya互动
机译:基于拓扑绝缘子的自旋电子学新原理探讨(方案1)。