公开/公告号CN113393723A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆安伏特电子技术有限公司;
申请/专利号CN202110760045.9
申请日2021-07-05
分类号G09B7/02(20060101);G09B23/18(20060101);
代理机构50215 重庆辉腾律师事务所;
代理人王海军
地址 400026 重庆市江北区港城东路8号5幢1-1(自编号1015)
入库时间 2023-06-19 12:35:33
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 装置,一种用于形成电路结构的方法,一种用于形成高度延伸的晶体管阵列的方法和与其相邻的电路结构
机译: 用于评估执行元件的至少两个开关状态的电路布置,一种用于操作电路布置的方法和一种开关装置