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二极管电荷模型建立方法及其模型参数萃取方法

摘要

本发明公开了一种二极管电荷模型建立方法及其模型参数萃取方法,包括:基于施加给二极管的偏置电压、主动器件的沟道开启电压和曲线平滑参数,获得调整电压;基于施加给二极管的偏置电压、主动器件的沟道开启电压和所述调整电压,获得沟道开启后的本征二极管的内部偏置电压;基于本征二极管的内部偏置电压和主动器件沟道完全耗尽时的电荷值,获得二极管电荷值;对二极管电荷值进行电压微分,获得二极管电容值。本发明支持基于主动器件(如HEMT、pHEMT等的外延工艺)的二极管的电荷/电容描述,特别是沟道开启带来的电容爬升效应。

著录项

  • 公开/公告号CN113378371A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门市三安集成电路有限公司;

    申请/专利号CN202110626149.0

  • 发明设计人 张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书;

    申请日2021-06-04

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F111/10(20200101);

  • 代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人连耀忠;李艾华

  • 地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

  • 入库时间 2023-06-19 12:32:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    授权

    发明专利权授予

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