具有在晶片表面的各向同性离子速度分布的源的物理气相沉积方法

摘要

在工件上的材料的等离子体增强物理气相沉积中，金属靶材跨越小于所述工件直径的靶材至工件的间隔面对着所述工件。载气被引入到腔室中，并且在所述腔室中的气体压力保持在阈值压力以上，在所述阈值压力处平均自由程小于所述间隔的5％。来自VHF产生器的RF等离子体源功率被施加给所述靶材，以在所述靶材处产生电容耦合等离子体，所述VHF产生器具有超过30MHz的频率。通过提供在所述VHF产生器的所述频率下经所述工件的第一VHF接地返回路径，使所述等离子体越过所述间隔延伸至所述工件。