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约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结

摘要

本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结,包括以下步骤:提供一衬底,在衬底上形成牺牲层,在牺牲层上形成感光层,在牺牲层中形成第一沟道,在感光层中形成第二沟道;衬底在第一沟道、第二沟道处形成衬底暴露区;在衬底暴露区、感光层表面形成第一超导金属材料层;氧化第一超导金属材料层,形成第一绝缘材料层;去除牺牲层和感光层;去除第一超导金属材料层表面的第一绝缘材料层;氧化第一超导金属材料层,形成第二绝缘材料层;在第二绝缘材料层表面、衬底表面形成第二超导金属材料层;图形化第二超导金属材料层,刻蚀至第二绝缘材料层,第二超导金属材料层与带有第二绝缘材料层的第一超导金属材料层交叉形成约瑟夫森结。

著录项

  • 公开/公告号CN113380942A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202110610839.7

  • 申请日2021-05-31

  • 分类号H01L39/24(20060101);H01L39/22(20060101);H01L39/02(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人孙蕾

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 12:32:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-16

    授权

    发明专利权授予

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