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一种宽入射角度的电磁吸收结构

摘要

本发明公开了一种宽入射角度的电磁吸收结构,包括从上到下层叠的ITO图案层、基板、介质损耗层以及良导体层,基板、介质损耗层以及良导体层分别为矩形板,且基板、介质损耗层以及良导体层从上到下完全重合,ITO图案层由第一ITO结构和第二ITO结构组成,第一ITO结构包括十四个矩形ITO和一个工字型ITO,第二ITO结构位于第一ITO结构的左侧,且两者为左右对称结构;优点是在入射角度为0°至80°范围内时,对TE模式电磁波均具有较好吸收效果,其中在TE模式电磁波的入射角度为0°至70°时,在频点9.5GHz处电磁波吸收率稳定在98%以上,而当入射角度范围为70°至80°时,在9.5GHz处的TE模式电磁波吸收效率稳定在90%以上。

著录项

  • 公开/公告号CN113381200A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波大学;

    申请/专利号CN202110521728.9

  • 发明设计人 钟硕敏;张豫;

    申请日2021-05-13

  • 分类号H01Q17/00(20060101);

  • 代理机构33226 宁波奥圣专利代理有限公司;

  • 代理人方小惠

  • 地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

  • 入库时间 2023-06-19 12:32:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-15

    授权

    发明专利权授予

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