退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN113383435A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN202080012108.6
发明设计人 尹石敏;万志民;黄朔罡;李惟一;高里·钱纳·卡玛蒂;
申请日2020-01-29
分类号H01L43/12(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/02(20060101);H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;张静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 12:32:17
机译: 使用气体处理和脉冲蚀刻离子束蚀刻
机译: 气体处理和脉冲离子束蚀刻
机译: 原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化
机译:通过AAO模板辅助脉冲激光沉积和离子束蚀刻合成的BifeO3纳米。
机译:从脉冲感应耦合等离子体获得的高能负离子束,用于无电荷蚀刻工艺
机译:利用气团离子束技术蚀刻,平滑和沉积
机译:高线密度熔融二氧化硅传输光栅通过深度反应离子束蚀刻进行超短脉冲激光压缩
机译:砷化镓和相关光电结构的化学辅助离子束蚀刻:应用,实验和简单模型。
机译:用于3D多材料纳米结构制造的离子束蚀刻再沉积
机译:利用通道蚀刻效应在云母毛细管中纳米化增强离子束
机译:液态金属聚焦离子束蚀刻敏化和相关的数据传输过程