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一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法

摘要

本发明公开了一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法,涉及氮化铝陶瓷技术领域。其由以下重量份组分用真空热压烧结法制备得到:氮化铝90‑100份,稀土氢化物0‑10份;或者,氮化铝90‑100份,稀土氢化物0‑10份,稀土氟化物0‑10份。本发明提供的真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板,稀土氢化物、稀土氢化物与稀土氟化物作为烧结助剂,其加入有助于降低烧结的温度,促进烧结致密;选用的烧结助剂可与氧杂质反应,净化晶格,有效提高热导率。本发明提供的真空热烧结法进行制备的陶瓷基板,在炉体压力的作用下,以及流动氮气氛围下有利于氮化铝的生成,进一步促进烧结致密化,同时能有效减小晶粒的尺寸,从而提高陶瓷的抗弯强度。

著录项

  • 公开/公告号CN113354418A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东工业大学;

    申请/专利号CN202110824142.X

  • 申请日2021-07-21

  • 分类号C04B35/581(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/645(20060101);

  • 代理机构44242 深圳市精英专利事务所;

  • 代理人李莹

  • 地址 510000 广东省广州市东风东路729号

  • 入库时间 2023-06-19 12:30:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-23

    授权

    发明专利权授予

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