AlN-金刚石热沉、制备方法和应用以及半导体激光器封装件

摘要

本发明公开了一种AlN‑金刚石热沉、制备方法和应用以及半导体激光器封装件，所述AlN‑金刚石热沉的制备方法包括以下步骤：步骤1，对钼片表面进行研磨处理、清洗并干燥；步骤2，通过直流电弧等离子体喷射化学气相沉积方法在钼衬底的表面沉积金刚石膜，然后降至常温，使金刚石厚膜与钼片脱离；步骤3，利用化学机械抛光方法对自支撑金刚石膜进行抛光，得到表面平坦化的金刚石片，清洗干燥；步骤4，对表面平坦化的金刚石片进行反溅射处理；步骤5，在所述反溅射处理后的金刚石片的表面通过直流溅射沉积AlN膜，沉积结束后，在N2气氛中降至常温得到AlN‑金刚石热沉。AlN‑金刚石热沉中的金刚石片导热率高，AlN膜作为缓冲层，可降低器件的热应力。