首页> 中国专利> 三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用

三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用

摘要

三方相HgS非线性光学晶体的制备方法及其应用,属于非线性光学材料技术领域,也涉及三方相HgS晶体的制备技术领域。将Na2S·9H2O和HgCl2与去离子水混合进行水热反应,待反应结束后过滤取得固相,经常温干燥,得三方相HgS非线性光学晶体。本发明采用水热反应具有一步反应的优点,且反应周期较短、产率可达85%以上。该三方相HgS非线性光学晶体可用于红外波段的倍频晶体,具有优异的红外非线性光学性能,在波长2100 nm激光照射下,其倍频效应为AGS的0.8倍,且能实现相位匹配。

著录项

  • 公开/公告号CN113355747A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州大学;

    申请/专利号CN202110645842.2

  • 发明设计人 郭胜平;严梅;唐如玲;

    申请日2021-06-10

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B7/10(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构32106 扬州市锦江专利事务所;

  • 代理人江平

  • 地址 225009 江苏省扬州市大学南路88号

  • 入库时间 2023-06-19 12:30:38

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号