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碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室

摘要

本发明公开了一种碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室,其制作方法包括:提供一硅片;在硅片上表面、下表面均生长硬掩模层;分别对每层硬掩膜层进行处理,形成第一窗口组和第二窗口组,第一窗口组为在硅片的第一区域的轴向上对应的两个第一窗口,第二窗口组为在硅片的第二区域的轴向上对应的两个第二窗口;将第一窗口组中两个第一窗口之间的硅片打通形成第一腔室,将第二窗口组中两个第二窗口之间的硅片打通形成第二腔室;采用激光刻蚀工艺,在第一腔室与第二腔室之间的硅片的上表面,形成内壁表面粗糙的V形微流道,使第一腔室与第二腔室连通;去除硬掩膜层;在第一腔室内放入碱金属叠氮化物;将硅片的上表面、下表面均与玻璃片密封连接。

著录项

  • 公开/公告号CN113359404A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202110611144.0

  • 申请日2021-06-01

  • 分类号G04F5/14(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 12:29:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-30

    授权

    发明专利权授予

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