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公开/公告号CN113363278A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林大学;
申请/专利号CN202110617238.9
发明设计人 沈亮;王亚茜;周航;向犇;纪永成;魏薇;
申请日2021-06-03
分类号H01L27/30(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人刘世纯;王恩远
地址 130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
入库时间 2023-06-19 12:29:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/30 专利申请号:2021106172389 申请公布日:20210907
发明专利申请公布后的驳回
机译: 光电探测器,光电探测器的制备方法,光电探测器阵列和光电检测终端
机译: 薄膜晶体管光电探测器阵列及其制造
机译: 一种制造光电探测器阵列的方法
机译:基于CMOS读数集成的纳米级光电晶体管的高度敏感的SWIR探测器阵列
机译:基于超短频道非晶氧化物半导体晶体管的高性能全溶液处理的柔性光电探测器阵列
机译:一种基于光电探测器阵列的新型空间滤波测速仪
机译:同时对透明薄膜晶体管阵列上的单元进行光电监控
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于溅射双电层的透明薄膜晶体管
机译:有机光电晶体管:基于单晶N沟道有机纳米线的高性能光电晶体管和光生电荷 - 载体行为(ADV。Funct。Matter。5/2013)
机译:基于共振饱和的激光电离 - 一种简单的模型描述